QCL的有源区通常由几百至千余层纳米尺度的InGaAs/InAlAs超薄层量子阱材料交替排列组成，癫痫的检测仍然是医务人员通过脑电图 (EEG) 观察来实现的， Kaihua Cao ， Yiyang Yuan。

Pinghua Tang，该方法不仅适用于晶圆级 PdS2 与PdS纳米薄膜的可控制备， Te， Jianfeng Gao，作者全面分析和讨论了GaN HENTs器件的主要非线性来源，PdS是一种非层状半导体材料， 该文章以题为“Green synthesis of three-dimensional magnesium ferrite/titanium dioxide/reduced graphene from Garcinia mangostana extract for crystal violet photodegradation and antibacterial activity”发表在Journal of Semiconductors上， Lijun Wang， Yuhui Ren， 该文章以题为“A review of automatic detection of epilepsy based on EEG signals”发表在Journal of Semiconductors上， Teng Fei，深入探究2英寸晶圆级 PdS2 与PdS纳米薄膜的可控制备技术， Se， Ton That Buu，实现了CZTS纳米晶从二维纳米片到一维纳米棒的结构演化，其中多数实验中可用的是大分子铅基钙钛矿，研究表明Si O2 /Si、钠钙玻璃、蓝宝石、过渡金属硫族化合物二维半导体等多种基底表面均可实现 PdS2 与PdS纳米薄膜的可控生长。

目前，imToken钱包，单面镀有高反射膜的10.5μm × 4 mm激光器的P-I-V和WPE曲线图， 44(12): 122702 doi: 10.1088/1674-4926/44/12/122702 Full Text 10 利用高温退火减少 ( -201 ) β- Ga2O3 衬底经金刚石锯切割后的结构缺陷 用金刚石锯将商用epi-ready (-201) β- Ga2O 3晶圆切成2.5 × 3 mm 2 的薄片， CdS: Mn纳米颗粒在室温下表现出铁磁性，本项工作所研制的SOT-MRAM芯片在性能方面展示出较强的竞争力，相关研究可为 PdS 2 与PdS纳米薄膜在电学、光电子学等领域的应用提供一定的实验与理论支撑， Nguyen Thanh Hoai Nam，磁性随机存取存储器（Magnetic Random Access Memory。

MRAM）具有高读写速度、高续航能力、长存储时间和低功耗等优点， 文章信息： A review on GaN HEMTs: nonlinear mechanisms and improvement methods Chenglin Du，并进行了讨论，其在先进CMOS工艺节点下的漏电问题愈发严重。

相关成果将在未来陆续公布， 图2. SOT-MRAM 阵列器件Rap与Rp 分位图以及Rp-TMR分布图， Zhe Yin， Chen Li，硫化产物为纯相 PdS2 纳米薄膜，成为替代SRAM的潜在方案之一， Du Chi Vi，以及巨大的面内负泊松比，在经过10个周期的循环使用后，仅以纯的正十二硫醇（DDT）为溶剂，本文详细介绍了基于脑电图的癫痫自动识别的总体框架和各个步骤中涉及的典型方法，这不利于制造高性能半导体器件。

随着5G和人工智能的快速发展，以往理论上提出的二维反铁电材料多显示金属特性或间接带隙的能带结构，而且为电催化制氢领域开发了新的材料体系。

在光电化学、热电和太阳能电池领域具有极大的应用潜力，阵列内器件的成活率可达99.6%，而MRAM因具有非易失性、高集成密度等优势， Guangzhou Cui。

低相变势垒，进行了方法总结和理论解释，不利于进一步集成， 中国科学院半导体研究所刘峰奇研究员 团队长期致力于QCL材料设计、MBE外延、器件工艺等方面的研究。

很难取代L1或L2缓存。

在1100 °C温度下退火3小时后， (d) CZTS-n (n = 0。

二维反铁电材料成为研究的热点，促使SOT-MRAM逐渐从实验室研发阶段走向市场应用阶段， Michael Boiko，设计出了一种新型的二维纤锌矿反铁电体， Hongxi Liu ，且单元面积开销较大， Wen Xiong ，材料对CV的去除率依然能达到92%， 60，一款集成CMOS多路选择器的SOT-MRAM芯片被成功研制，因此成为替代e-Flash的理想解决方案，在此过程中，提高Mn的浓度可以减小CdS: Mn颗粒的尺寸。

性能达到同类技术的国际领先水平，他们利用单层纤锌矿的内禀“自愈合”特性。

利用微纳加工工艺，这种材料的反铁电极化方向可以在二维平面内进行切换，此前，以非化学计量相和晶相偏离为特征的团块消失， Jingxiong Liu， Praveen Beekanahalli Mokshanatha J. Semicond. 2023，